Bipolartransistor 2N4240
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N4240
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 500 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
- Verlustleistung, max: 35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-66
Pinbelegung des 2N4240
Komplementärer PNP-Transistor
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