Bipolartransistor 2N4232A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N4232A

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
Verlustleistung, max: 75 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 25 bis 100
Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
Gehäuse: TO-66

Pinbelegung des 2N4232A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N4232A ist der 2N6313.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N4232A

Sie können den Transistor 2N4232A durch einen 2N4233A, 2N5954 oder 2N5955 ersetzen.

Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com