Bipolartransistor 2N5955

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5955

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 100
Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
Gehäuse: TO-66

Pinbelegung des 2N5955

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5955 ist der 2N6373.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5955

Sie können den Transistor 2N5955 durch einen 2N5954 ersetzen.

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