Bipolartransistor 2N3766

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3766

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-66

Pinbelegung des 2N3766

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N3766

Sie können den Transistor 2N3766 durch einen 2N3767, 2SC1113 oder 2SC1444 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com