Bipolartransistor 2N3638

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3638

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.7 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
  • Gehäuse: TO-105

Pinbelegung des 2N3638

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

SMD-Version des Transistors 2N3638

Der BC808 (SOT-23), BC808-16 (SOT-23), BC808-16W (SOT-323), BC808-25 (SOT-23), BC808-25W (SOT-323), BC808-40 (SOT-23), BC808-40W (SOT-323), BC808W (SOT-323), MMBTA63 (SOT-23), MMBTA64 (SOT-23), MMBTA65 (SOT-23), PMBTA64 (SOT-23), PZTA63 (SOT-223), PZTA64 (SOT-223) und PZTA65 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2N3638-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N3638

Sie können den Transistor 2N3638 durch einen 2N3638A oder 2N3644 ersetzen.
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