Bipolartransistor 2N3638A
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3638A
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.7 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
- Gehäuse: TO-105
Pinbelegung des 2N3638A
SMD-Version des Transistors 2N3638A
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