Transistor bipolaire FMMT555

Caractéristiques électriques du transistor FMMT555

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -140 V
  • Tension collecteur-base maximum: -160 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular ZTX555 transistor

Brochage du FMMT555

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor FMMT555

Le transistor NPN complémentaire du FMMT555 est le FMMT455.

Transistor FMMT555 en boîtier TO-92

Le ZTX555 est la version TO-92 du FMMT555.
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