Caractéristiques électriques du transistor STB1277-O
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
Tension collecteur-base maximum: -30 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -2 A
Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 170 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du STB1277-O
Le STB1277-O est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor STB1277-O peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du STB1277 est compris entre 100 à 320, celui du STB1277-Y entre 160 à 320.