Transistor bipolaire NTE199
Caractéristiques électriques du transistor NTE199
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
- Tension collecteur-base maximum: 70 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.36 W
- Gain de courant (hfe): 400 à 1200
- Figure de bruit maximum: 3 dB
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du NTE199
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Substituts et équivalents pour le transistor NTE199
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com