Transistor bipolaire NTE181

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 90 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 4 V
• Courant collecteur continu maximum: 30 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 25 à 100
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du NTE181 est le NTE180.Vous pouvez remplacer le transistor NTE181 par 2N5671, 2N5672, MJ802 ou MJ802G.