Transistor bipolaire MJ802G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 90 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 4 V
• Courant collecteur continu maximum: 30 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 25 à 100
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ802G est la version sans plomb du transistor MJ802

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ802G est le MJ4502G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ802G par 2N5671, 2N5672, MJ802 ou NTE181.