Transistor bipolaire NTE159M
Caractéristiques électriques du transistor NTE159M
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
- Tension collecteur-base maximum: -60 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.6 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.4 W
- Gain de courant (hfe): 100 à 300
- Fréquence de transition minimum: 200 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
- Boîtier: TO-18
Brochage du NTE159M
Complémentaire du transistor NTE159M
Version SMD du transistor NTE159M
Substituts et équivalents pour le transistor NTE159M
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