Transistor bipolaire BSP50

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 1 A
• Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Fréquence de transition minimum: 200 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: SOT-223

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor BSP50 est marqué "BSP50".Le transistor PNP complémentaire du BSP50 est le BSP60.Vous pouvez remplacer le transistor BSP50 par BSP51, BSP52, BSP52T1, BSP52T1G, BSP52T3 ou BSP52T3G.