Transistor bipolaire MPSA28G

Caractéristiques électriques du transistor MPSA28G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 12 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 10000
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Le MPSA28G est la version sans plomb du transistor MPSA28

Brochage du MPSA28G

Le MPSA28G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor MPSA28G

Vous pouvez remplacer le transistor MPSA28G par MPSA28, MPSA29 ou MPSA29G.
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