Transistor bipolaire MPSA29G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 12 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 10000
• Fréquence de transition minimum: 200 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92
• Le MPSA29G est la version sans plomb du transistor MPSA29

Le MPSA29G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MPSA29G par MPSA29.