Transistor bipolaire MMBT5551

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 160 V
• Tension collecteur-base maximum: 180 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.6 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
• Gain de courant (h_fe): 80 à 250
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Figure de bruit maximum: 8 dB
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-23

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MMBT5551 est marqué "3S".Le transistor PNP complémentaire du MMBT5551 est le MMBT5401.Vous pouvez remplacer le transistor MMBT5551 par 2N5551S ou KST5551.