Transistor bipolaire MJH11019

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -200 V
• Tension collecteur-base maximum: -200 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 150 W
• Gain de courant (h_fe): 400 à 15000
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-247

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJH11019 est le MJH11020.Vous pouvez remplacer le transistor MJH11019 par MJH11019G, MJH11021 ou MJH11021G.Le transistor MJH11019G est la version sans plomb du MJH11019.