Transistor bipolaire MJH11021G

Caractéristiques électriques du transistor MJH11021G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -250 V
  • Tension collecteur-base maximum: -250 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 400 à 15000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-247
  • Le MJH11021G est la version sans plomb du transistor MJH11021

Brochage du MJH11021G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor MJH11021G

Vous pouvez remplacer le transistor MJH11021G par MJH11021.
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