Transistor bipolaire MJD2955G
Caractéristiques électriques du transistor MJD2955G
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
- Tension collecteur-base maximum: -70 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -10 A
- Dissipation de puissance maximum: 20 W
- Gain de courant (hfe): 20 à 100
- Fréquence de transition minimum: 2 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-252
- Electrically Similar to the Popular MJE2955T transistor
- Le MJD2955G est la version sans plomb du transistor MJD2955
Brochage du MJD2955G
Marquage
Complémentaire du transistor MJD2955G
Substituts et équivalents pour le transistor MJD2955G
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