Transistor bipolaire MJD2955G

Caractéristiques électriques du transistor MJD2955G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -70 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 2 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular MJE2955T transistor
  • Le MJD2955G est la version sans plomb du transistor MJD2955

Brochage du MJD2955G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor MJD2955G est marqué "J2955G".

Complémentaire du transistor MJD2955G

Le transistor NPN complémentaire du MJD2955G est le MJD3055G.

Substituts et équivalents pour le transistor MJD2955G

Vous pouvez remplacer le transistor MJD2955G par MJD2955, MJD2955T4 ou MJD2955T4G.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com