Transistor bipolaire MJD2955

Caractéristiques électriques du transistor MJD2955

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -70 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 2 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular MJE2955T transistor

Brochage du MJD2955

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor MJD2955 est marqué "J2955".

Complémentaire du transistor MJD2955

Le transistor NPN complémentaire du MJD2955 est le MJD3055.

Substituts et équivalents pour le transistor MJD2955

Vous pouvez remplacer le transistor MJD2955 par MJD2955G, MJD2955T4 ou MJD2955T4G.

Version sans plomb

Le transistor MJD2955G est la version sans plomb du MJD2955.
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