Transistor bipolaire MJD122G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 12000
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP122 transistor
• Le MJD122G est la version sans plomb du transistor MJD122

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD122G est marqué "J122G".Le transistor PNP complémentaire du MJD122G est le MJD127G.Vous pouvez remplacer le transistor MJD122G par MJD122, MJD122T4 ou MJD122T4G.