Transistor bipolaire MJD122

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 12000
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP122 transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD122 est marqué "J122".Le transistor PNP complémentaire du MJD122 est le MJD127.Vous pouvez remplacer le transistor MJD122 par MJD122G, MJD122T4 ou MJD122T4G.Le transistor MJD122G est la version sans plomb du MJD122.