Transistor bipolaire MJ21196G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
• Tension collecteur-base maximum: 400 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 16 A
• Dissipation de puissance maximum: 250 W
• Gain de courant (h_fe): 25 à 75
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ21196G est la version sans plomb du transistor MJ21196

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ21196G est le MJ21195.Vous pouvez remplacer le transistor MJ21196G par MJ21194, MJ21194G ou MJ21196.