Transistor bipolaire MJ21196

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
• Tension collecteur-base maximum: 400 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 16 A
• Dissipation de puissance maximum: 250 W
• Gain de courant (h_fe): 25 à 75
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJ21196 par MJ21194, MJ21194G ou MJ21196G.Le transistor MJ21196G est la version sans plomb du MJ21196.