Transistor bipolaire MJ12004

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 750 V
• Tension collecteur-base maximum: 1500 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 5 A
• Dissipation de puissance maximum: 100 W
• Gain de courant (h_fe): 12
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJ12004 par MJ12005.