Transistor bipolaire MJ12005

Caractéristiques électriques du transistor MJ12005

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 750 V
  • Tension collecteur-base maximum: 1500 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 12
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du MJ12005

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
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