Transistor bipolaire MG6330

Caractéristiques électriques du transistor MG6330

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 230 V
  • Tension collecteur-base maximum: 230 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 200 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 140
  • Fréquence de transition minimum: 60 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du MG6330

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MG6330

Le transistor PNP complémentaire du MG6330 est le MG9410.

Substituts et équivalents pour le transistor MG6330

Vous pouvez remplacer le transistor MG6330 par 2SC3263, 2SC3263-Y, 2SC3320, 2SC5200, 2SC5200N, 2SC5242, 2SC5358, 2SC6011A, 2SC6011A-O, 2SC6011A-P, 2SC6011A-Y, 2SC6145, 2SC6145-Y, 2SC6145A, 2SC6145A-Y, 2SD1313, FJA4313, FJL4315, KTC5200, KTC5200A, KTC5242, KTC5242A, MAG6333, MAG6333B, MG6330-R, MG6331, MG6331-R, MJW3281A ou MJW3281AG.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com