Transistor bipolaire MG6331-R

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 260 V
• Tension collecteur-base maximum: 260 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 18 A
• Dissipation de puissance maximum: 300 W
• Gain de courant (h_fe): 70 à 140
• Fréquence de transition minimum: 60 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MG6331-R est le MG9411-R.Vous pouvez remplacer le transistor MG6331-R par 2SD1313.