Transistor bipolaire KTC2020D-GR
Caractéristiques électriques du transistor KTC2020D-GR
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
- Tension collecteur-base maximum: 60 V
- Tension émetteur-base maximum: 7 V
- Courant collecteur continu maximum: 3 A
- Dissipation de puissance maximum: 20 W
- Gain de courant (hfe): 150 à 300
- Fréquence de transition minimum: 30 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-252
Brochage du KTC2020D-GR
Classification de hFE
Version SMD du transistor KTC2020D-GR
Substituts et équivalents pour le transistor KTC2020D-GR
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