Transistor bipolaire KSE5020-Y

Caractéristiques électriques du transistor KSE5020-Y

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 500 V
  • Tension collecteur-base maximum: 800 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 30 à 50
  • Fréquence de transition minimum: 18 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du KSE5020-Y

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSE5020-Y peut avoir un gain en courant continu de 30 à 50. Le gain en courant continu du KSE5020 est compris entre 15 à 50, celui du KSE5020-O entre 20 à 40, celui du KSE5020-R entre 15 à 30.
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