Transistor bipolaire KSD882-Y
Caractéristiques électriques du transistor KSD882-Y
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
- Tension collecteur-base maximum: 40 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 3 A
- Dissipation de puissance maximum: 10 W
- Gain de courant (hfe): 160 à 320
- Fréquence de transition minimum: 90 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SD882Y transistor
Brochage du KSD882-Y
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KSD882-Y
Substituts et équivalents pour le transistor KSD882-Y
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