Transistor bipolaire KSC5021-O
Caractéristiques électriques du transistor KSC5021-O
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 500 V
- Tension collecteur-base maximum: 800 V
- Tension émetteur-base maximum: 7 V
- Courant collecteur continu maximum: 5 A
- Dissipation de puissance maximum: 50 W
- Gain de courant (hfe): 20 à 40
- Fréquence de transition minimum: 18 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
Brochage du KSC5021-O
Classification de hFE
Substituts et équivalents pour le transistor KSC5021-O
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