Transistor bipolaire MJE8502

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 700 V
• Tension collecteur-base maximum: 1200 V
• Tension émetteur-base maximum: 8 V
• Courant collecteur continu maximum: 5 A
• Dissipation de puissance maximum: 80 W
• Gain de courant (h_fe): 8
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +125 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJE8502 par MJE8503.