Transistor bipolaire KSC1009G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
• Tension collecteur-base maximum: 160 V
• Tension émetteur-base maximum: 8 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
• Gain de courant (h_fe): 200 à 400
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SC1009G transistor

Le KSC1009G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Le transistor KSC1009CG (avec le suffixe "C") est la version à collecteur central du KSC1009G.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor KSC1009G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSC1009 est compris entre 40 à 400, celui du KSC1009O entre 70 à 140, celui du KSC1009R entre 40 à 80, celui du KSC1009Y entre 120 à 240.Le 2SC1009G est la version TO-92 du KSC1009G.Vous pouvez remplacer le transistor KSC1009G par 2SC1009 ou 2SC1009G.