Transistor bipolaire KSC1009
Caractéristiques électriques du transistor KSC1009
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
- Tension collecteur-base maximum: 160 V
- Tension émetteur-base maximum: 8 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
- Gain de courant (hfe): 40 à 400
- Fréquence de transition minimum: 30 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Electrically Similar to the Popular 2SC1009 transistor
Brochage du KSC1009
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KSC1009
Transistor KSC1009 en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor KSC1009
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