Transistor bipolaire HSB1109S

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
• Tension collecteur-base maximum: -160 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 320
• Fréquence de transition minimum: 140 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -50 to +150 °C
• Boîtier: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SB1109 transistor

Le HSB1109S est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor HSB1109S peut avoir un gain en courant continu de 60 à 320. Le gain en courant continu du HSB1109S-B est compris entre 60 à 120, celui du HSB1109S-C entre 100 à 200, celui du HSB1109S-D entre 160 à 320.Le transistor NPN complémentaire du HSB1109S est le HSD1609S.Vous pouvez remplacer le transistor HSB1109S par 2SA1275, 2SA1370, 2SA1371, 2SA1624, KSA1013, KTA1275 ou KTA1279.