Transistor bipolaire BUX82

Caractéristiques électriques du transistor BUX82

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 400 V
  • Tension collecteur-base maximum: 800 V
  • Tension émetteur-base maximum: 10 V
  • Courant collecteur continu maximum: 6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 75 W
  • Gain de courant (hfe): 30
  • Fréquence de transition minimum: 6 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du BUX82

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor BUX82

Vous pouvez remplacer le transistor BUX82 par BUX80, BUX81, BUX83, MJ10001 ou MJ423.
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