Transistor bipolaire BST40

Caractéristiques électriques du transistor BST40

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 350 V
  • Tension collecteur-base maximum: 400 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1.3 W
  • Gain de courant (hfe): 0 à 40
  • Fréquence de transition minimum: 70 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du BST40

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor BST40 est marqué "AT2".

Complémentaire du transistor BST40

Le transistor PNP complémentaire du BST40 est le BST16.
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