Transistor bipolaire BST16

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -300 V
• Tension collecteur-base maximum: -350 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.2 A
• Dissipation de puissance maximum: 1.3 W
• Gain de courant (h_fe): 30 à 120
• Fréquence de transition minimum: 15 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: SOT-89

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BST16 est le BST40.