Transistor bipolaire BSR30

Caractéristiques électriques du transistor BSR30

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -70 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1.35 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du BSR30

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor BSR30 est marqué "BR1".

Complémentaire du transistor BSR30

Le transistor NPN complémentaire du BSR30 est le BSR40.

Substituts et équivalents pour le transistor BSR30

Vous pouvez remplacer le transistor BSR30 par BSR32.
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