Transistor bipolaire BSR32

Caractéristiques électriques du transistor BSR32

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -90 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1.35 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du BSR32

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor BSR32 est marqué "BR3".

Complémentaire du transistor BSR32

Le transistor NPN complémentaire du BSR32 est le BSR42.
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