Transistor bipolaire BSR32
Caractéristiques électriques du transistor BSR32
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
- Tension collecteur-base maximum: -90 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -1 A
- Dissipation de puissance maximum: 1.35 W
- Gain de courant (hfe): 40 à 120
- Fréquence de transition minimum: 100 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: SOT-89
Brochage du BSR32
Marquage
Complémentaire du transistor BSR32
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