Transistor bipolaire BDV66
Caractéristiques électriques du transistor BDV66
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
- Tension collecteur-base maximum: -80 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -16 A
- Dissipation de puissance maximum: 200 W
- Gain de courant (hfe): 1000
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-3P
Brochage du BDV66
Complémentaire du transistor BDV66
Substituts et équivalents pour le transistor BDV66
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