Transistor bipolaire BC850CW

Caractéristiques électriques du transistor BC850CW

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
  • Tension collecteur-base maximum: 50 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
  • Gain de courant (hfe): 420 à 800
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Figure de bruit maximum: 1.2 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-323

Brochage du BC850CW

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC850CW peut avoir un gain en courant continu de 420 à 800. Le gain en courant continu du BC850AW est compris entre 110 à 220, celui du BC850BW entre 200 à 450, celui du BC850W entre 110 à 800.

Complémentaire du transistor BC850CW

Le transistor PNP complémentaire du BC850CW est le BC860CW.

Substituts et équivalents pour le transistor BC850CW

Vous pouvez remplacer le transistor BC850CW par BC846CW, BC846W, BC847CW ou BC847W.
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