Transistor bipolaire BC636

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
• Tension collecteur-base maximum: -45 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 250
• Fréquence de transition minimum: 150 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le BC636 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BC636 est le BC635.Vous pouvez remplacer le transistor BC636 par KSA708C.