Transistor bipolaire BC635

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
• Tension collecteur-base maximum: 45 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 250
• Fréquence de transition minimum: 200 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le BC635 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BC635 est le BC636.Vous pouvez remplacer le transistor BC635 par KSC1008C.