Transistor bipolaire 2SD882E

Caractéristiques électriques du transistor 2SD882E

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 90 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SD882E

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD882E peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du 2SD882 est compris entre 60 à 400, celui du 2SD882GR entre 200 à 400, celui du 2SD882O entre 100 à 200, celui du 2SD882P entre 160 à 320, celui du 2SD882Q entre 100 à 200, celui du 2SD882R entre 60 à 120, celui du 2SD882Y entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD882E peut n'être marqué que D882E.

Complémentaire du transistor 2SD882E

Le transistor PNP complémentaire du 2SD882E est le 2SB772E.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD882E

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD882E par 2SC2270, 2SC3420, 2SC3420-GL, 2SC6101, 2SC6102, 2SD1348, 2SD1348-T, 2SD1683, 2SD1683-T, 2SD1722, 2SD1722-R, 2SD1723, 2SD1723-R, BD131, BD185, BD187, BD189, BDX35, BDX36, KSD882, KSD882-G, KSH882, KSH882-G, KTD882, KTD882-GR, MJE222, MJE225 ou MJE520.
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