Transistor bipolaire 2SD858

Caractéristiques électriques du transistor 2SD858

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 60 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 250
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du 2SD858

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD858 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 250. Le gain en courant continu du 2SD858-P est compris entre 120 à 250, celui du 2SD858-Q entre 70 à 150, celui du 2SD858-R entre 40 à 90.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD858 peut n'être marqué que D858.

Complémentaire du transistor 2SD858

Le transistor PNP complémentaire du 2SD858 est le 2SB763.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD858

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD858 par BD245A, BD245B, BD245C, BD249A, BD249B, BD249C, BDV91, BDV93, BDV95 ou TIP35CA.
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