Transistor bipolaire 2SD826
Caractéristiques électriques du transistor 2SD826
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 20 V
- Tension collecteur-base maximum: 60 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 5 A
- Dissipation de puissance maximum: 10 W
- Gain de courant (hfe): 120 à 560
- Fréquence de transition minimum: 120 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
Brochage du 2SD826
Classification de hFE
Marquage
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD826
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