Transistor bipolaire 2SD2389-O
Caractéristiques électriques du transistor 2SD2389-O
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
- Tension collecteur-base maximum: 160 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 8 A
- Dissipation de puissance maximum: 80 W
- Gain de courant (hfe): 5000 à 12000
- Fréquence de transition minimum: 80 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-3P
Brochage du 2SD2389-O
Classification de hFE
Equivalent circuit
Marquage
Complémentaire du transistor 2SD2389-O
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD2389-O
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