Transistor bipolaire MJH11020G

Caractéristiques électriques du transistor MJH11020G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 200 V
  • Tension collecteur-base maximum: 200 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 400 à 15000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-247
  • Le MJH11020G est la version sans plomb du transistor MJH11020

Brochage du MJH11020G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor MJH11020G

Vous pouvez remplacer le transistor MJH11020G par 2SC3320, 2SD1313, MJH11020, MJH11022 ou MJH11022G.
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